蓝宝石外延片（SOS）

产品详情

Parameters range for Silicon on Sapphire (SOS) Epi Wafers
Wafer diameter	76 mm, 100 mm, 150 mm
Orientation	(1012) ± 1º (R-plane)
Substrate dopant	-
Epi-layer thickness (µm)	0.3 – 2.0
Epi-layer dopant	Phosphorous, Boron
Epi-layer resistivity (Ohm.cm)	2.5-30 Ohm.cm
n-type	according to spec.
p-type	according to spec.

在蓝宝石片上外延生长一层硅薄膜以制作半导体集成电路的技术，简称 SOS。这种结构能提供理想的隔离，并减小PN结底部的寄生电容，故适合于制作高速大规模集成电路，实现高速和低功耗。

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