绝缘片（SOI）

SOI材料的制备方法有多种，过去经常采用的有离子束、电子束或激光区熔再结晶(ZMR)，外延横向生长法(ELO)等，这些方法各有特色，但对于制造商用SOI晶片来说，其生产能力和成本因素略显不足。目前，注氧隔离法(SIMOX)和硅片键合法是制造低成本商用SOI晶片的两种主要方法，并在国际上形成了两大生产流派。采用这两种方法都已能制造Φ200mm SOI晶片，并且有望满足0.25μm/0.18μm工艺线的质量要求，它们面临的主要挑战是如何进一步提高产量、降低成本，即以IC制造商可接受的价格规模生产出质量符合要求的SOI晶片以满足IC规模生产的要求。