什么是区熔硅片？
区熔硅片就是通过区熔法（Float Zone）长晶得到区熔单晶硅棒，然后把单晶硅棒加工成硅片，叫做区熔硅片。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触，硅材料处于悬浮状态，因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低，杂质更少，电阻率更高，适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。
区熔硅片在长晶过程中，通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼（Boron）或者磷（Phos）,因此区熔硅片大多是本征型，不掺杂的高阻片，电阻率大于>1000欧姆-厘米。但是某些情况下，也可以通过NTD中照和GD气掺来实现对区熔硅棒的掺杂，以达到均匀性更好和更低的电阻率。
| Diameter | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Growth Method | FZ |
| Orientation | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > |
| Type/Dopant | Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron |
| Thickness (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Thickness Tolerance | Standard ± 25um | ±50um |
| Resistivity(Ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5 |
| Surface Finished | P/E , P/P, E/E, G/G |
| TTV (um) | Standard < 10 um |
| Bow/Warp (um) | Standard <40 um | <50um |
| Particle | <10@0.3um |
区熔硅片就是通过区熔法（Float Zone）长晶得到区熔单晶硅棒，然后把单晶硅棒加工成硅片，叫做区熔硅片。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触，硅材料处于悬浮状态，因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低，杂质更少，电阻率更高，适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。
区熔硅片在长晶过程中，通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼（Boron）或者磷（Phos）,因此区熔硅片大多是本征型，不掺杂的高阻片，电阻率大于>1000欧姆-厘米。但是某些情况下，也可以通过NTD中照和GD气掺来实现对区熔硅棒的掺杂，以达到均匀性更好和更低的电阻率。
